МП114 кремниевые транзисторы p-n-p

Транзисторы МП114 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.

Предельная частота коэффициента передачи тока  при Uкб = 5В, Iэ = 1 мА не менее:

    МП114 …. 0,1 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкэ=5 В, Iэ=1 мА, T=293 К:

    МП114 …. не менее 9

Пробивное напряжение коллекторного перехода на пульсирующем напряжении при f = 50 Гц не менее:

    МП114 …. 70В

Обратный ток коллектора при T= 293 К не более:

    МП114 при Uкб = 30 В …. 10 мкА

Обратный ток коллектора при T= 373 К не более:

    МП114 при Uкб = 30 В …. 400 мкА

Обратный ток эмиттера при Т=293К не более:

    МП114 при Uэб = 10 В …. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Т=373К не более:

    МП114 при Uэб = 10 В …. 200 мкА


Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при Iэ=1 мА, f = 1 кГц не более:

    МП114 при Uкб=50В …. 300 Ом